რეკლამის დახურვა

მიუხედავად იმისა, ვსაუბრობთ Apple-ზე, Samsung-ზე ან თუნდაც TSMC-ზე, ხშირად გვესმის მათი ჩიპების წარმოების პროცესების შესახებ. ეს არის წარმოების მეთოდი, რომელიც გამოიყენება სილიკონის ჩიპების დასამზადებლად, რომელიც განისაზღვრება იმის მიხედვით, თუ რამდენად პატარაა ერთი ტრანზისტორი. მაგრამ რას ნიშნავს ინდივიდუალური რიცხვები? 

მაგალითად, iPhone 13 შეიცავს A15 Bionic ჩიპს, რომელიც დამზადებულია 5 ნმ ტექნოლოგიით და შეიცავს 15 მილიარდ ტრანზისტორს. თუმცა, წინა A14 Bionic ჩიპიც იმავე ტექნოლოგიით იყო წარმოებული, რომელიც მაინც შეიცავდა მხოლოდ 11,8 მილიარდ ტრანზისტორს. მათთან შედარებით ასევე არის M1 ჩიპი, რომელიც შეიცავს 16 მილიარდ ტრანზისტორს. მიუხედავად იმისა, რომ ჩიპები Apple-ის საკუთრებაა, ისინი ამისთვის მზადდება TSMC-ის მიერ, რომელიც არის მსოფლიოში ყველაზე დიდი სპეციალიზებული და დამოუკიდებელი ნახევარგამტარების მწარმოებელი.

ტაივანის ნახევარგამტარების მწარმოებელი კომპანია 

ეს კომპანია დაარსდა ჯერ კიდევ 1987 წელს. ის გთავაზობთ წარმოების შესაძლო პროცესების ფართო პორტფელს, მოძველებული მიკრომეტრიული პროცესებიდან თანამედროვე მაღალგანვითარებულ პროცესებამდე, როგორიცაა 7nm EUV ტექნოლოგიით ან 5nm პროცესით. 2018 წლიდან TSMC-მა დაიწყო ფართომასშტაბიანი ლითოგრაფიის გამოყენება 7 ნმ ჩიპების წარმოებისთვის და გააოთხმაგებინა წარმოების სიმძლავრე. 2020 წელს მან უკვე დაიწყო 5 ნმ ჩიპების სერიული წარმოება, რომლებსაც აქვთ 7%-ით მეტი სიმკვრივე 80 ნმ-თან შედარებით, მაგრამ ასევე 15%-ით მაღალი შესრულება ან 30%-ით დაბალი მოხმარება.

3 ნმ ჩიპების სერიული წარმოება მომავალი წლის მეორე ნახევარში უნდა დაიწყოს. ეს თაობა გვპირდება 70%-ით მეტ სიმკვრივეს და 15%-ით მაღალ შესრულებას, ან 30%-ით ნაკლებ მოხმარებას, ვიდრე 5 ნმ პროცესი. თუმცა, საკითხავია, შეძლებს თუ არა Apple მის განთავსებას iPhone 14-ში. თუმცა, როგორც ჩეხური იუწყება ვიკიპედიაTSMC-მ უკვე შეიმუშავა ტექნოლოგია 1nm წარმოების პროცესისთვის ცალკეულ პარტნიორებთან და სამეცნიერო გუნდებთან თანამშრომლობით. ის შეიძლება გამოვიდეს სცენაზე 2025 წელს. თუმცა, თუ კონკურენციას გადავხედავთ, Intel გეგმავს 3 ნმ პროცესის დანერგვას 2023 წელს, ხოლო Samsung ერთი წლის შემდეგ.

გამოხატულება 3 ნმ 

თუ ფიქრობთ, რომ 3 ნმ ეხება ტრანზისტორის ზოგიერთ რეალურ ფიზიკურ თვისებას, ეს ასე არ არის. ეს არის უბრალოდ კომერციული ან მარკეტინგული ტერმინი, რომელიც გამოიყენება ჩიპების წარმოების ინდუსტრიაში, რათა მიუთითებდეს სილიკონის ნახევარგამტარული ჩიპების ახალ, გაუმჯობესებულ თაობაზე ტრანზისტორი გაზრდილი სიმკვრივის, მაღალი სიჩქარის და ენერგიის შემცირებული მოხმარების თვალსაზრისით. მოკლედ, შეიძლება ითქვას, რომ რაც უფრო პატარაა ჩიპი ნმ პროცესით წარმოებული, მით უფრო თანამედროვე, მძლავრი და ნაკლები მოხმარებითაა. 

თემები: , , , , ,
.